科技日報は2014年7月29日、中国と米国がワイドギャップ半導体分野において産学連携を展開すると報じた。本記事でその概要をまとめる。

去る7月28日、中国の天岳クリスタル材料公司と米国のニューヨーク州立大学はMOUを締結し、SiC（炭化ケイ素）の研究における協力を行うことになった。なお、両者は協力の内容について公開していないという。

SiCは、次世代半導体の最先端を代表するワイドギャップ半導体として、新エネルギー自動車や高速鉄道、産業分野等で幅広く応用され、欧米及び日本等の先進国でクリーンエネルギー分野の国家戦略に取り入れられている。今回の協力に関わる両者が同分野における世界最高の技術水準と研究レベルを有するとされており、この協力は、「中国の経済成長へより優れたオプションを提供することになる」と期待されている。

[JST北京事務所]