（2022年8月16日付、国防高等研究計画局（DARPA）による標記発表の概要は以下のとおり）

　マイクロエレクトロニクス製造における次のイノベーションには、高度な3Dパッケージングによって可能となる、異種材料や異種部品を統合するヘテロジニアスインテグレーションが必要とされる。この3Dヘテロジニアスインテグレーション（3DHI）技術の開発は、明日の破壊的なマイクロシステムを実現するための今日の重要な目標である。DARPAの新プロジェクト、「次世代マイクロエレクトロニクス製造（NGMM）」は、3DHIの研究開発と製造を行う米国拠点の設立を目指している。

　NGMMは、次世代3DHIプロトタイプを製造するための国内初のオープンアクセス施設を設立することにより、パイロットライン製造施設という形で国家的なアクセラレータを立ち上げる予定である。これにより、米国内ユーザーは、高額な投資をすることなく、研究開発の設計を組み立て、テストすることができ、国産の3DHIプロトタイプ製造を推進、標準化、迅速化するための集中的かつ全体的なアプローチのもと、より幅広いイノベーターが協力することができる。DARPAは、NGMMで開発された能力を、国家半導体技術センター（NSTC）に関連する全米先端パッケージング製造プログラム（NAPMP）に移行する予定である。

[DW編集局+JSTワシントン事務所]