（2023年1月26日付、全米科学財団（National Science Foundation：NSF）の標記発表の概要は以下のとおり）

NSFは本日、「半導体の未来（Future of Semiconductors：FuSe）」イニシアチブの一環として、エリクソン、IBM、インテル、サムスンと次世代半導体の設計を支援する官民パートナーシップを締結したと発表した。この活動を通じて、NSFは各社と協力し、科学と工学の研究者のコミュニティを育成し、包括的なコ・デザイン（co-design）*アプローチを追求するプロジェクトに投資していく予定である。材料、デバイス、アーキテクチャ、システム、アプリケーションを統合する研究者を意図的に支援することにより、新たな半導体技術を統合的に設計・開発することが可能になる。また、コ・デザインアプローチにより、デバイス・システムの性能、製造可能性、リサイクル可能性、および環境への影響についても同時に検討することになる。

［*編集局注：システム開発において「協調設計／コ・デザイン（co-design）」とは一般には、ハードウェア部とソフトウェア部からなるシステムについて、両部の設計を連携させながら同時並行的に進め、性能やコストの最適化を図ることを指す。］

世界的なパンデミックによって悪化した全国的な半導体不足により、半導体業界は半導体を使った製品の需要増への対応が困難になっている。また、米国における半導体需要は高いものの、国内の半導体製造は世界供給の10％程度に過ぎない。今回の官民連携による投資は、半導体およびマイクロエレクトロニクス技術の飛躍的進歩につながる研究とイノベーションを促進することによりこの問題解決に貢献し、これらのデバイスに依存する無数のアプリケーションの開発を後押しする。

今回の提携は、米国における多様な半導体製造人材の育成のためのNSFの最近の投資を発展させたものである。既に2022年、NSFはSemiconductor Research Corporation（SRC）社との提携、インテルとの協働による1,000万ドルの助成制度、マイクロンとの1,000万ドルでの提携という3つの半導体人材開発事業を開始している。

[DW編集局]