（2023年11月28日付、科学技術情報通信部の標記発表の概要は以下のとおり）

11月28日、科学技術情報通信部イ・ジョンホ長官は、産業通商資源部関係者とともにSKハイニックス利川キャンパスを視察した。まず半導体生産現場において、科学技術情報通信部の積極的な行政政策によって支援された高性能半導体設備の稼働状況を視察し、関連技術や市場の展望についての説明を受けた。そして、半導体協会や関連企業との懇談会に出席し、半導体現場で発生する障害事項や追加で規制改善が必要な事項などについて、業界の多様な意見を聴取した。

本視察は、政府が行ってきた規制改善政策の一環であり、これまで実施されてきた政策には以下のものがある。

（1）電波応用設備性能検査の際、原則として工程を中断しなければならなかった。科学技術情報通信部は昨年11月、「デジタル産業活力向上のための規制改善策」を発表し、12月に電波法施行令を改正した。これによって、半導体製造施設など電磁波多重遮蔽設備を備えた建物の中に設置された設備については、製造工程を中断せずに検査することができるよう検査方式が改善された。

（2）半導体などの生産設備に用いられる装備を輸入する際、従来は適合性評価確認手続きのために通関が遅延して生産に支障が生じることがあった。また、1、2台のみ輸入するような特殊装備は、納品単価よりも適合性検証に必要な試験費用が高くつくこともあった。そこで、科学技術情報通信部は今年2月には関連告示を改正し、限定された空間でのみ使用され、記録として管理可能な産業用機資材は、電波環境に及ぼす影響が少なく、他の法令においても認証が免除されていることを考慮し、適合性評価を免除することとした。

（3）従来、電波法の規定により、通信3社のように移動通信周波数の割り当てを受けた者のみが独占利用権を持ち、他の業者が周波数を活用する高性能半導体生産設備を使用することが難しかった。そこで、今年10月に科学技術情報通信部積極行政委員会において審議し、遮蔽施設を備えている場合には移動通信用に分配された周波数（860MHz）を半導体生産装備でも使用することができるよう改善した。

[DW編集局]