（2024年10月31日付、国立標準技術研究所（NIST）の標記発表の概要は以下のとおり）

本日、商務省（DOC）は国家半導体技術センター（NSTC）を運営する非営利団体Natcastとともに、初の大型研究開発施設を、ニューヨーク州のオールバニ・ナノテク・コンプレックス（ANC）に設置すると発表した。

設置予定の施設「CHIPS for America極端紫外線（EUV）アクセラレーター」は8億2,500万ドルの政府支援を受ける見込み。EUVリソグラフィーは、従来は実現不可能であった7nm世代以降の微細トランジスタの大量生産を可能にする重要技術として浮上している。EUVの研究開発は、NSTC 戦略計画における1)米国の技術リーダーシップの拡大、2)プロトタイプ作製の時間とコストの削減、3)半導体人材エコシステムの構築と維持、という3つの主要目標を達成するためにも不可欠と位置づけられている。

このEUVアクセラレーターは2025年に初期稼働する予定で、Natcast、NY CREATES（ANCを運営する非営利団体）、およびNSTCが協力して研究開発活動を実施する。主に以下の能力を提供することが期待されている。

▽最先端のEUVリソグラフィー・ツールと次世代の研究開発能力へのアクセス
▽産学官のパートナーの連携促進
▽NatcastとNSTCの研究者をサポートするオンサイトオフィス
▽有能な労働力を提供、育成、成長させるプログラムの支援
▽他のNSTC施設との協力の下でのメンバーシップと関与の拡大

[DW編集局]