（2025年12月1日付、国立標準技術研究所(National Institute of Standards and Technology：NIST）の標記発表の概要は以下のとおり）

米国商務省（DOC）のCHIPS研究開発オフィス（NISTの一部門）は本日、次世代半導体リソグラフィの世界的リーダーシップを米国に取り戻すことを目的に、エックスライト（xLight）社との意向表明書（非拘束的暫定合意書）に署名したと発表した。

CHIPS・科学法に基づき、最大1億5,000万ドルの連邦政府による財政支援・投資を提供する内容で、NISTがトランプ政権下で国家半導体技術センター（NSTC）の運営を引き継いで以降、初の支援案件となる。この意向書は、米国の先端半導体製造における技術的優位性を確保する意図を示すものである。

支援対象は、極端紫外線（EUV）リソグラフィ用の光源代替技術としての自由電子レーザー（FEL）プロトタイプの建設・構築・実証であり、商務省はエックスライト社の株式1億5,000万ドル相当を取得する予定である。EUVリソグラフィは、7nmノードを超えるトランジスタ大量生産を可能にする重要技術であるが、より高性能かつコスト効率の高い製造手段への需要が増しており、FEL光源はリソグラフィの性能、効率、コスト面で大幅な改善をもたらす可能性を有する。

エックスライト社は、アルバニー・ナノテック複合施設（Albany Nanotech Complex）において、世界最高レベルのリソグラフィ能力を活用し、将来のチップ製造を定義する研究開発のためのプロトタイプFELシステムの構築を進めている。2028年以降は、現行EUV装置での技術実証や、次世代高性能半導体デバイス製造に不可欠となるサブEUV波長リソグラフィ研究を推進する計画である。

[DW編集局]